• Artykuły
  • Forum
  • Ciekawostki
  • Encyklopedia
  • Tranzystor polowy



    Podstrony: 1 [2] [3]
    Przeczytaj także...
    Napięcie elektryczne – różnica potencjałów elektrycznych między dwoma punktami obwodu elektrycznego lub pola elektrycznego. Symbolem napięcia jest U. Napięcie elektryczne jest to stosunek pracy wykonanej podczas przenoszenia ładunku elektrycznego między punktami, dla których określa się napięcie, do wartości tego ładunku. Wyraża to wzórPółprzewodniki − najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10 do 10 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie bądź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków.
    Tranzystor polowy dużej mocy

    Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny (ang. Field Effect Transistor, FET) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego. Pierwszy raz opatentowany w 1926 roku przez Juliusa Edgara Lilienfelda.

    Budowa[ | edytuj kod]

    Uproszczona budowa tranzystora JFET. S – źródło, G – bramka, D – dren, 1 – obszar zubożony, 2 – kanał

    Zasadniczą częścią tranzystora polowego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami: źródłem (symbol S, od ang. source, odpowiednik emitera w tranzystorze bipolarnym) i drenem (D, drain, odpowiednik kolektora). Pomiędzy nimi tworzy się tzw. kanał, którym płynie prąd. Wzdłuż kanału umieszczona jest trzecia elektroda, zwana bramką (G, gate, odpowiednik bazy). W tranzystorach epiplanarnych, jak również w przypadku układów scalonych, w których wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, wykorzystuje się jeszcze czwartą elektrodę, tzw. podłoże (B, bulk albo body), służącą do odpowiedniej polaryzacji podłoża.

    IGBT (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor) - tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów.MASTAR (Model for Analog and Digital Simulation of MOS Transistors) jest obliczeniowym modelem tranzystora MOSFET MOS. Został opracowany przy zastosowaniu metody VDT (ang. Voltage Doping Transformation) . Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych , lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.


    Podstrony: 1 [2] [3]




    Warto wiedzieć że... beta

    Elektroda – końcowy element niektórych układów lub urządzeń elektrycznych, przewodnik elektryczny wysyłający ładunek elektryczny lub przyjmujący go z otoczenia, albo kształtujący pole elektrostatyczne w swoim otoczeniu.
    Pole elektryczne – stan przestrzeni otaczającej ładunki elektryczne lub zmienne pole magnetyczne. W polu elektrycznym na ładunek elektryczny działa siła elektrostatyczna.
    Alkatron – rodzaj tranzystora unipolarnego. Wyposażony jest on w dwa złącza mające symetrię kołową. Każde złącze stanowi oddzielną bramkę. Jedna z bramek służy do ustalenia żądanej początkowej szerokości kanału w ten sposób, aby oddziaływanie napięcia na drugiej bramce na prąd tego kanału było maksymalne.
    Library of Congress Control Number (LCCN) – numer nadawany elementom skatalogowanym przez Bibliotekę Kongresu wykorzystywany przez amerykańskie biblioteki do wyszukiwania rekordów bibliograficznych w bazach danych i zamawiania kart katalogowych w Bibliotece Kongresu lub u innych komercyjnych dostawców.
    Om (Ω) – jednostka rezystancji w układzie SI (jednostka pochodna układu SI). Nazwa om pochodzi od nazwiska niemieckiego fizyka Georga Ohma.
    Tranzystor – trójelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa urządzenia wywodzi się od słów transkonduktancja (transconductance) z "półprzewodnikowym" przyrostkiem -stor jak w warystor (varistor).
    Julius Edgar Lilienfeld (ur. 18 kwietnia 1882 we Lwowie zm. 28 sierpnia 1963) austriacko-węgierski fizyk pochodzenia żydowskiego, twórca tranzystora polowego (podstawowego elementu współczesnych układów cyfrowych).

    Reklama

    Czas generowania strony: 0.024 sek.