• Artykuły
  • Forum
  • Ciekawostki
  • Encyklopedia
  • Pamięć dynamiczna - informatyka

    Przeczytaj także...
    DDR4 SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (version 4)) – standard pamięci RAM typu SDRAM, będący rozwinięciem pamięci DDR, DDR2 i DDR3, stosowanych w komputerach jako pamięć operacyjna.SRAM (ang. Static Random Access Memory), statyczna pamięć o dostępie swobodnym – typ pamięci półprzewodnikowej stosowanej w komputerach, służy jako pamięć buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem.
    Pamięć operacyjna (ang. internal memory, primary storage) – pamięć adresowana i dostępna bezpośrednio przez procesor, a nie przez urządzenia wejścia-wyjścia procesora. W pamięci tej mogą być umieszczane rozkazy (kody operacji) procesora (program) dostępne bezpośrednio przez procesor i stąd nazwa pamięć operacyjna. W Polsce często pamięć ta jest utożsamiana z pamięcią RAM, choć jest to zawężenie pojęcia, pamięcią operacyjną jest też pamięć nieulotna (ROM, EPROM i inne jej odmiany) dostępna bezpośrednio przez procesor, a dawniej używano pamięci o dostępie cyklicznym.
    Moduł pamięci DDR3

    Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego.

    Półprzewodniki − najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10 do 10 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie bądź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków.Tranzystor – trójelektrodowy (rzadko czteroelektrodowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa urządzenia wywodzi się od słów transkonduktancja (transconductance) z "półprzewodnikowym" przyrostkiem -stor jak w warystor (varistor).

    W przeciwieństwie do pamięci statycznych wymagają okresowego odświeżania zawartości (ze względu na rozładowywanie się kondensatorów). Jednocześnie pojedyncza komórka pamięci dynamicznej składa się z mniejszej liczby elementów niż analogiczna komórka pamięci statycznej. Powyższe cechy pozwalają na większe upakowanie elementów w układach scalonych, co daje efekt w postaci niższych kosztów produkcji i pozwala na budowę tańszych układów pamięci o danych pojemnościach.

    SDRAM (ang. Synchronous Dynamic Random Access Memory) – rodzaj pamięci DRAM pracującej synchronicznie z magistralą systemową, co odróżnia ją od klasycznej pamięci DRAM typu FPM i EDO, które pracują asynchronicznie.Rambus Incorporated NASDAQ: RMBS – firma założona w 1990 roku; dostarcza technologię bardzo szybkich interfejsów. Najbardziej znanym produktem tej firmy jest technologia pamięci Rambus Direct RAM, którą to zaprojektowano by zastąpić miejsce SDRAM i zakwestionowała używanie DDR RAM jako standardowej pamięci w komputerach.

    Odświeżanie musi następować w regularnych odstępach czasu i wewnętrznie polega na ponownym zapisie odczytanej wartości w tych samych komórkach pamięci. Za odświeżanie odpowiedzialne są układy pamięci, specjalizowane układy wspomagające (kontroler pamięci – obecnie najczęściej stanowi on integralną część chipsetu) bądź sam procesor (np. Z80).

    EDO RAM (ang. Extended Data Out Random Access Memory) - czasem nazywana także Hyper Page Mode enabled DRAM, jest podobna do modułów FPM DRAM, z tą różnicą, iż nowy cykl dostępu (odczytu lub zapisu) może zostać rozpoczęty jeszcze w trakcie trwania poprzedniego. Pozwala to na usunięcie "dziur" między operacjami spowodowanych głównie koniecznością odczekania kilku cykli zegarowych na zakończenie operacji wyboru kolumny (CAS). Średni przyrost wydajności tych pamięci w stosunku do modułów FPM wynosił około 5%. Moduły EDO zostały wprowadzone do powszechnego użytku w 1995 roku wraz z wydaniem przez Intela chipsetu i430FX, który zawierał obsługę ulepszonego mechanizmu EDO.Kondensator – jest to element elektryczny (elektroniczny), zbudowany z dwóch przewodników (okładek) rozdzielonych dielektrykiem.

    Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspiesza sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci.

    Pamięci dynamiczne są obecnie szeroko wykorzystywane jako pamięć operacyjna w urządzeniach, z wyjątkiem układów wymagających niezbyt dużych ilości pamięci (np. sterowniki) oraz wymagających szybkiego dostępu do pamięci (np. specjalizowany sprzęt sieciowy).

    SDR SDRAM (ang. Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) - chronologicznie i technologicznie najwcześniejsza odmiana pamięci SDRAM. Przedrostek SDR (Single Data Rate) oznacza, że dane przesyłane są przy każdym narastającym zboczu sygnału zegarowego (w odróżnieniu od DDR w których przesył danych odbywa się przy narastającym i opadającym zboczu sygnału zegarowego).DDR2 SDRAM (ang. Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) – kolejny po DDR standard pamięci RAM typu SDRAM, stosowany w komputerach jako pamięć operacyjna.

    Popularne odmiany pamięci DRAM[]

  • FPM – Fast Page Mode DRAM
  • EDO – Extended Data Out DRAM
  • SDRAM – Synchronous DRAM
  • SDR SDRAM Single Data Rate Synchronous DRAM
  • DDR SDRAM – Dual Data Rate Synchronous DRAM
  • DDR2 SDRAM – Dual Data Rate Synchronous DRAM wersja druga
  • DDR3 SDRAM – Dual Data Rate Synchronous DRAM wersja trzecia
  • DDR4 SDRAM – Dual Data Rate Synchronous DRAM wersja czwarta
  • RAMBUS (RDRAM)
  • Linki zewnętrzne[]

  • Oznaczenia modułów pamięci SDRAM produkcji HYUNDAI Korea Płd
  • Chipset – grupa specjalistycznych układów scalonych, które są przeznaczone do wspólnej pracy. Mają zazwyczaj zintegrowane oznaczenia i zwykle sprzedawane jako jeden produkt.MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS.



    w oparciu o Wikipedię (licencja GFDL, CC-BY-SA 3.0, autorzy, historia, edycja)

    Warto wiedzieć że... beta

    DDR SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) – rodzaj pamięci typu RAM stosowany w komputerach jako pamięć operacyjna oraz jako pamięć kart graficznych i podobnych.
    Układ scalony (ang. integrated circuit, chip, potocznie po polsku kość) – zminiaturyzowany układ elektroniczny zawierający w swym wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych, takich jak tranzystor, dioda półprzewodnikowa, opornik i kondensator.
    RAM (ang. Random Access Memory – pamięć o dostępie swobodnym) – podstawowy rodzaj pamięci cyfrowej. Choć nazwa sugeruje, że oznacza to każdą pamięć o bezpośrednim dostępie do dowolnej komórki pamięci (w przeciwieństwie do pamięci o dostępie sekwencyjnym, np. rejestrów przesuwnych), ze względów historycznych określa ona tylko te rodzaje pamięci o bezpośrednim dostępie, w których możliwy jest wielokrotny i łatwy zapis, a wyklucza pamięci ROM (tylko do odczytu) i EEPROM których zapis trwa znacznie dłużej niż odczyt, pomimo iż w ich przypadku również występuje swobodny dostęp do zawartości.
    DDR3 SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (ver. 3)) – standard pamięci RAM typu SDRAM, będący rozwinięciem pamięci DDR i DDR2, stosowanych w komputerach jako pamięć operacyjna. Standard jest zdefiniowany w dokumencie "JEDEC Standard No. 79-3E".

    Reklama

    Czas generowania strony: 0.024 sek.