• Artykuły
  • Forum
  • Ciekawostki
  • Encyklopedia
  • Napylanie w polu magnetycznym

    Przeczytaj także...
    Fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD), z ang. Physical Vapour Deposition) – osadzanie powłoki z fazy gazowej przy wykorzystaniu zjawisk fizycznych. Mechanizm tworzenia powłoki opiera się na krystalizacji. Proces PVD prowadzony jest w warunkach wysokiej próżni, ze względu na zapewnienie odpowiednio długiej drogi swobodnej cząsteczce gazu. Gaz materiału osadzanego krystalizuje na podłożu, wiążąc się siłami adhezji. Z tego względu połączenie powłoka-podłoże ma charakter adhezyjny i zależy od czystości podłoża. Przed obróbką właściwą stosuje się chemiczne (zgrubne) i jonowe (dokładne) metody oczyszczania powierzchni. Technika PVD ma bardzo duży potencjał aplikacyjny głównie ze względu na niską temperaturę obróbki oraz zachowanie składu chemicznego materiału źródła. W procesie PVD osadzaniu powłoki nie towarzyszą żadne przemiany chemiczne, obserwuje się wyłącznie zmianę stanu skupienia wprowadzonej substancji. Mechanizm osadzania kontrolowany jest przede wszystkim poprzez dobór temperatury podłoża oraz ciśnienie i skład atmosfery reakcyjnej. Celem procesu jest wytworzenie cienkich warstw o ściśle kontrolowanym składzie modyfikujących fizyczne i chemiczne właściwości powierzchni.Jon – atom lub grupa atomów połączonych wiązaniami chemicznymi, która ma niedomiar lub nadmiar elektronów w stosunku do protonów. Obojętne elektrycznie atomy i cząsteczki związków chemicznych posiadają równą liczbę elektronów i protonów, jony zaś są elektrycznie naładowane dodatnio lub ujemnie.
    Powłoki przeciwodblaskowe – układ jednej lub większej liczby cienkich warstw substancji naniesionych na powierzchnię elementu optycznego w celu zminimalizowania natężenia światła odbitego i zwiększenia natężenia światła przechodzącego.

    Napylanie w polu magnetycznym – metoda fizycznego osadzania warstw z fazy gazowej (PVD, z ang. physical vapour deposition). Proces polega na nanoszeniu na modyfikowanej powierzchni nośnika filmu zbudowanego z rozpylonych w polu magnetycznym jonów pochodzących z powierzchni materiału źródła.

    Półprzewodniki − najczęściej substancje krystaliczne, których konduktywność (przewodnictwo właściwe) może być zmieniana w szerokim zakresie (np. 10 do 10 S/cm) poprzez domieszkowanie, ogrzewanie, oświetlenie bądź inne czynniki. Przewodnictwo typowego półprzewodnika plasuje się między przewodnictwem metali i dielektryków.Argon (Ar, łac. argon) – pierwiastek chemiczny będący gazem szlachetnym. Jest praktycznie niereaktywny i nie ma żadnego znaczenia biologicznego, jest także jednym ze składników powietrza. Argon wyodrębnili i zidentyfikowali Lord Rayleigh i sir William Ramsay w 1894 roku.

    Mechanizm[ | edytuj kod]

    Napylanie w polu magnetycznym

    W procesie wykorzystuje się oddziaływanie naładowanych cząstek (jonów oraz elektronów) z polem magnetycznym. Strumień jonów generowany jest w wyniku bombardowania powierzchni źródła cząstkami zjonizowanego gazu (najczęściej argonu) powstałego w wyniku przyłożenia napięcia pomiędzy powierzchnie nośnika i źródła.

    Natrysk plazmowy – metoda pokrywania materiałów (najczęściej powierzchni metali) warstwami o różnorakich właściwościach wykorzystującą wysoką temperaturę strumienia plazmy niskotemperaturowej.Domieszkowanie – wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika lub materiału ceramicznego tworzących roztwory stałe. Domieszkowanie stosowane jest w celu modyfikacji wybranych właściwości materiału np.: optyczne, elektryczne, magnetyczne czy mechaniczne. Ilość wprowadzanej domieszki nie przekracza zazwyczaj kilku procent atomowych (kilka atomów domieszki na 100 atomów sieci macierzystej).

    Zastosowanie[ | edytuj kod]

    Metoda osadzania warstw w polu magnetycznym stosowana jest głównie w przemyśle materiałów półprzewodnikowych, gdzie wykorzystuje się ją do produkcji cienkich filmów o ściśle kontrolowanym poziomie domieszkowania. Przemysł optyczny wykorzystuje osadzane cienkie filmy jako powłoki antyrefleksyjne charakteryzujące się znaczną twardością.

    Pole magnetyczne – stan przestrzeni, w której siły działają na poruszające się ładunki elektryczne, a także na ciała mające moment magnetyczny niezależnie od ich ruchu. Pole magnetyczne, obok pola elektrycznego, jest przejawem pola elektromagnetycznego. W zależności od układu odniesienia, w jakim znajduje się obserwator, to samo zjawisko może być opisywane jako objaw pola elektrycznego, magnetycznego albo obu.Magnetron to rodzaj lampy mikrofalowej, samowzbudne urządzenie oscylacyjne oparte na zjawisku rezonansu, które przetwarza wejściową energię prądu stałego na energię elektryczną wysokiej częstotliwości. Przetwarzanie energii odbywa się w specjalnie ukształtowanej komorze anodowej umieszczonej w silnym polu magnetycznym. Elektrony wysyłane przez katodę przyciągane są przez anodę, a tor i ich prędkość modyfikowane są przez pole magnetyczne i kształt komory anodowej.
    Wpływ pola magnetycznego na ruch cząstek naładowanych w próżni

    Odmiany metod napylania w polu magnetycznym[ | edytuj kod]

  • Napylanie za pomocą wiązki jonów (ang. ion-beam sputtering)
  • Napylanie reaktywne (ang. reactive sputtering)
  • Osadzanie jonowe (ang. ion-assisted deposition)
  • Wysoko wydajne napylanie plazmowe (ang. high-target-utilization sputtering)
  • Napylanie w strumieniu gazu (ang. gas flow sputtering)
  • Działo magnetronowe z materiałem źródłowym

    Zobacz też[ | edytuj kod]

  • natrysk plazmowy



  • w oparciu o Wikipedię (licencja GFDL, CC-BY-SA 3.0, autorzy, historia, edycja)

    Reklama

    Czas generowania strony: 0.013 sek.