• Artykuły
  • Forum
  • Ciekawostki
  • Encyklopedia
  • Multi Level Cell

    Przeczytaj także...
    Hynix Semiconductor Inc. - południowokoreańska firma produkująca układy elektroniczne. Wcześniej znana jako Hyundai Electronics, przed oddzieleniem się od konglomeratu Hyundai Group w 2001 roku. Produkuje głównie pamięci DRAM i flash. Z obrotami wynoszącymi ponad 10 mld $ rocznie jest jednym z największych producentów pamięci na świecie.Pamięć flash (ang. flash memory) – rodzaj pamięci EEPROM, pozwalającej na zapisywanie lub kasowanie wielu komórek pamięci podczas jednej operacji programowania. Jest to pamięć trwała (nieulotna) – po odłączeniu zasilania nie traci zapisanych w niej danych.
    Bit (w ang. kawałek, skrót od binary digit, czyli cyfra dwójkowa) – najmniejsza ilość informacji potrzebna do określenia, który z dwóch równie prawdopodobnych stanów przyjął układ. Jednostka logiczna.

    Multi Level Cell, MLC (z ang. komórka o wielu poziomach, komórka wielostanowa) – technologia pamięci flash. Cechuje się wieloma stanami napięć w każdej komórce, co umożliwia zapisanie w niej więcej niż jednego bita, w przeciwieństwie do pamięci typu SLC (ang. single-level cell), której komórka może znajdować się tylko w dwóch różnych stanach logicznych przechowując jeden bit informacji.

    Większość pamięci MLC jest zaprojektowana do zapisu 2 bitów informacji na każdą komórkę pamięci, co daje 4 możliwe do uzyskania stany logiczne. W czerwcu 2008 roku południowokoreański producent półprzewodnikowych pamięci Hynix zaprezentował pamięci MLC z trzema bitami na komórkę, czyli 8 stanami logicznymi w jednej komórce. W październiku 2009 roku SanDisk rozpoczął produkcję pamięci flash w technologii X4, która pozwala na przechowywanie aż 4 bitów w każdej komórce pamięci.

    Do projektowania układów pamięci flash, dla których najważniejsza jest pewność zapisu i odczytu, podchodzi się w inny sposób, wręcz przeciwny: wykorzystuje się w nich dwie komórki pamięci do zapisu jednego bitu – dla zminimalizowania prawdopodobieństwa wystąpienia błędu.

    Różnice SLC i MLC[]

    Przewagą technologii MLC jest większa gęstość upakowania danych i, co bezpośrednio z tego wynika, niższa cena w stosunku do pojemności. Natomiast wraz ze wzrostem liczby stanów napięć, granice między poszczególnymi stanami się zawężają, co skutkuje zwiększoną podatnością na błędy danych. Aby zredukować tak powstałe przekłamania wymagane jest zastosowanie bardziej złożonego oprogramowania do obsługi zapisu/odczytu.

    W roku 2012 firma Samsung w swoich najnowszych napędach SSD serii 840 zaczęła stosować pamięci typu TLC (Triple Level Cell). Jest to trzystanowy MLC, który ma jeszcze większą gęstość upakowania danych niż dwustanowy MLC i umożliwia zapisywanie 3 bitów informacji na każdą komórkę pamięci. Układy tego typu mają 10 krotnie mniejszą liczbę cykli zapisu niż pamięci wykorzystujące dwustanowy MLC i aż 100 krotnie mniejszą niż SLC. Liczba ta jest szacowana na około 500 cykli.

    Przypisy

    Linki zewnętrzne[]

  • szczegółowa analiza różnic SLC i MLC (ang.)
  • Intel, Micron Extend NAND Flash Technology Leadership With Introduction of World's First 128Gb NAND Device and Mass Production of 64Gb 20nm NAND (ang.)



  • w oparciu o Wikipedię (licencja GFDL, CC-BY-SA 3.0, autorzy, historia, edycja)

    Reklama

    Czas generowania strony: 0.021 sek.