• Artykuły
  • Forum
  • Ciekawostki
  • Encyklopedia
  • MRAM

    Przeczytaj także...
    Motorola była międzynarodową firmą telekomunikacyjną założoną w 1928 roku, z siedzibą w Schaumburgu na przedmieściach Chicago (USA). Była spółką publiczną notowaną na giełdzie nowojorskiej (NYSE) (od 26 maja 1946) (symbol giełdowy: MOT), a w przeszłości także tokijskiej (od października 1988 do czerwca 2005) i Chicago Stock Exchange. 4 stycznia 2011 podzieliła się na dwie firmy, Motorola Mobility i Motorola Solutions.Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego.
    Pamięć trwała lub nieulotna (ang. non-volatile) - rodzaj pamięci komputerowej, która pozwala na zachowanie zawartości nawet po odłączeniu zasilania.

    MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji.

    Gigantyczny magnetoopór (gigantyczna magnetorezystancja, GMR z ang. Giant MagnetoResistance) – zjawisko kwantowomechaniczne polegające na powstawaniu bardzo dużego (olbrzymiego) magnetooporu na cienkich warstwach wielokrotnych F/(NF/F)xN (N-liczba powtórzeń dwuwarstwy, F-ferromagnetyk, NF-diamagnetyk), odkryte przez grupę badawczą Baibicha w 1988 r. Wraz z odkryciem tego zjawiska rozpoczęła się era elektroniki spinowej (spintroniki).CMOS (ang. Complementary MOS) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie pojemności obciążających wyjścia.

    Pierwsze prace nad pamięciami MRAM dokonał IBM. Obecnie najbardziej zaawansowani w tej technologii są Altis Semiconductor i Freescale Semiconductor (dawniej dział półprzewodników firmy Motorola).

    Freescale Semiconductor - firma produkująca półprzewodniki powstała poprzez wydzielenie w 2004 r. działu półprzewodników z firmy Motorola. Freescale skupia się na rynku produktów związanych z telekomunikacją i systemami wbudowanymi.IBM (ang. International Business Machines Corporation; potocznie zwany Big Blue, NYSE: IBM) – jeden z najstarszych koncernów informatycznych.

    Zalety[ | edytuj kod]

  • praktycznie nieograniczony czas przechowywania informacji bez zasilania
  • praktycznie nieograniczona liczba cykli zapis / odczyt
  • duża szybkość działania – czas zapisu ok. 30 ns (porównywalny z DRAM)
  • Wady[ | edytuj kod]

  • niezgodność z technologią CMOS
  • stosunkowo wysokie koszty produkcji
  • stosunkowo duże rozmiary elementarnej komórki pamięci
  • Linki zewnętrzne[ | edytuj kod]

  • MRAM technology information, resources and news (eng)
  • RAM (ang. Random Access Memory – pamięć o dostępie swobodnym) – podstawowy rodzaj pamięci cyfrowej. Choć nazwa sugeruje, że oznacza to każdą pamięć o bezpośrednim dostępie do dowolnej komórki pamięci (w przeciwieństwie do pamięci o dostępie sekwencyjnym, np. rejestrów przesuwnych), ze względów historycznych określa ona tylko te rodzaje pamięci o bezpośrednim dostępie, w których możliwy jest wielokrotny i łatwy zapis, a wyklucza pamięci ROM (tylko do odczytu) i EEPROM których zapis trwa znacznie dłużej niż odczyt, pomimo iż w ich przypadku również występuje swobodny dostęp do zawartości.Magnetoopór, także zjawisko Gaussa - zjawisko polegające na zmianie oporu metali i półprzewodników pod wpływem pola magnetycznego. Praktyczne zastosowanie znalazło w magnetoopornikach.



    w oparciu o Wikipedię (licencja GFDL, CC-BY-SA 3.0, autorzy, historia, edycja)

    Reklama

    Czas generowania strony: 0.009 sek.